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“咳咳”
沈丹青重重地咳嗽了两声,提醒下大家,以示自己在注意他们。
最后还是洪涛避无可避,才不得不站起来说:“老板,我在美国接触过,虽然己是过时的技术了,但万变不离其宗。
原理我想来,不会变。”
起了开头,他才正式的讲解道:
“光刻机又叫掩模对准曝光机,是利用照相机的原理,将电子工程师设计的电路图分多步骤转移到硅晶圆的方法。
这里面最难的是激光技术和机械控制精度。
但这两点其实我们早已经解决了,不得不说,老板真是高赡远嘱啊!
我先说,激光的重要性。
一般光刻机上所用的激光都是紫外光,据我到公司以来,才了解。
紫外光也分等级,普通的紫外光也叫UV,它的光波振幅是365Nm,第二种叫深紫外光,也叫DUV,又叫准分子极光,它的光波振幅减少到248Nm到193Nm,是我们早在九二年就请清华大学光电研究所,研究出来的技术。
还有一种是我们为了提高纳米级数控机床的控制精度而研究出来的,我们叫极深紫外光又叫EUV,它的光波振幅只有10到15Nm。
光波振幅越小,意味着光刻精度越高。
光波振幅小,能量密度就大,激光只要照射一次,就能在光刻胶上留下清晰的图形。
因此,我敢说在激光技术方面,我们已经达到了世界领先。
第二个重点,机械控制技术,就不用我说了,我们已是世界领先,机械精度达到了纳米级水平。
而且我们的机械控制技术与国外完全不同,在老板的指点下,我们采用的是非接触式电磁控制直线电机,完全实现了电信号控制,最高精度可以达到1纳米,这还是因为我们只采集了这个等级的数据。
而据我所知,国外还在采取纯机械控制技术,他们还在热衷于滚珠丝杠和空气轴承等技术。
控制精度至少与我们相差两个量级。
因此,我们研制光刻机已经没有技术难度。
相反研制离子注入机,却有不少困难。
离子注入机就利用离子溅射的原理,来对已刻划好的晶体管进行掺杂,以达到我们需要的电学性能。
这里面有两个技术难点,第一是高温。
高温会令微小的晶体管变形,因此我们需要想办法让温度降下来。
第二,就是离子的轰击力度,力度过大,容易对晶体管造成损伤,力度过少,又达不到我们需要掺杂的目的。”
说到这里,他就偷看了一下老板,看他是否满意自己的讲解,发现一切没问题,他才做总结发言:
“我就讲这么多,有不足的地方请大家补充。
谢谢!”
洪涛说完就坐下了,他是赶鸭子上架,没有办法,谁让他是留美博士,接触过这方面的知识。
如果他一直缩着不出头,到时老板也会点他的名,那还不如自己主动,给老板的心里留下好印象。
接下来当然没有谁再发言了,这又不是什么美差。
沈丹青等了几分钟,见没有人再站起来发言,就开始讲话:“刚才,洪所长的发言,非常有见地,基本上将重要的注意事项都点明了,我就不再多说了。
我知道的还没有你们在座的任何人多,但我有几点要求。
第一就是良品率,这是硬指标。
第二就是效率,要有大规模生产的能力。
我预计我国今后会用到大量的芯片,我们必须能迅速满足这个要求。
从低端的16位元到中端的32位元,再到将来的高端64位元芯片,我们都要能大量提供。
...
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