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第七十八章 死命令（第1页）

沈丹青带头，他们一行三人就往会议室赶去。

到了大会议室沈丹径直往台上走去，其它两人就在台下第一排找位置坐了，这也是长胜投资集团一贯的会议风格，大家都习惯了。

沈丹青往台上发言席一坐，就扫视了一下全场，整个会场顿时静悄悄的，落叶可闻。

只见台下黑压压一片，起码有两三百人，化学研究是个大科目，所以研究人员比较多。

“咳咳”

沈丹青先咳嗽了两声，清了清嗓子才开始发言：“我今天来，有一件重要的事要告诉大家。

再过不久我们公司就要进行芯片生产设备的研发，其中你们化学研究所就占了很重要的任务。

芯片到底是怎么生产出来的？大家都没有见过，也不知道，今天我就跟大家简单的说一说。

1块20英寸直径的硅晶圆，上面一次可以蚀刻近两千块微型芯片。

因为微型芯片内部的微型电路特别精细也特别多，因此不可能用人工完成。

国外的科学家就发明了用物理和化学的方法来蚀刻芯片。

物理的方法就是使用光刻机，化学的方法才是真正蚀刻芯片的关键。

包括后期的离子参杂和铜互联，整个过程全部都有化学的参与。

因此你们才是整套设备研发的关键。

我先将整个步骤简单地同大家说一说。

首先准备两块抛光好的硅晶圆，将其中的一块涂上垫底胶，叫做底片。

这个垫底胶就是你们研发的第一个任务，它要求稳定、附着力强、耐腐蚀、耐紫外光照射。

因为第二片硅晶圆就是用垫底胶附着在底片上，我叫它基板，他才是制造微型芯片的真正材料。

第二个步骤就是在基板上涂上光刻胶，激光通过掩模板照射在基板上，未被激光照射到的基板上就留下了一个个图形，这些图形就是真正的芯片。

这个光刻胶就是你们要研发的第二种化学胶。

它对紫外光极度敏感，被激光照射后就变质了，用水一冲洗就露出了下面的硅晶圆。

大家注意这个水也不是普通的水，必须是无氧无杂质的超纯水。

因此也是你们的研发任务。

冲洗完之后就要烘干，然后进入下一个环节蚀刻。

蚀刻就是对露出来的硅晶圆溶解掉，直到露出底板胶为止，然后再用纯水冲洗干净烘干。

到目前为止就形成了一块块独立的芯片雏形。

下面就进入了一个重要的环节真正的蚀刻电路，步骤与我刚才介绍的差不多，经过几十上百次的重复光刻—显影—清洗—烘干—蚀刻—清洗—烘干。

才最终把电路蚀刻好。

下面就进行掺杂，要掺杂我们需要的好几种杂质，如：硫、磷、砷等等。

整个过程也要进行十几次重复，最终才真正制成我们需要的各种晶体管。

这个时候各个晶体管还是独立的没有连接所以不能发挥作用，我们需要对它进行铜互连工艺。

不过无氧铜天然的与二氧化硅不太相沾，因此我们又需要对晶体管表面镀一层粘连层，以便与无氧铜能相沾。

记住，是晶体管的两头，其余的地方全部要用光刻胶覆盖了。

怎么镀呢？！

一般采用离子气相沉积法，镀上一层淡化钨、氮化钛、淡化钽等等这几种物质都能很好地与二氧化硅相沾，也能与铜相沾，也都是导电合金。

因为是在氮气的环境下进行蒸镀的，因此温度比较低，对晶体管造成的损伤很少。

做完这一步，就可以进行铜互联工艺了。

这道工艺也是光刻—显影—清洗—烘干—蚀刻—清洗—烘干如此再三，要刻上十层铜连线。

大家注意，每层铜连线之间开始都要铺上一层光刻胶，因此需要一道独特的溶解工艺，要溶掉所有光刻胶，便于芯片散热。